اختراع جديد يطور تخزين المعلومات الكترونياً

قام فريق من الباحثين في قسم هنسة الحاسوب والكهرباء التابع لجامعة سنغافورة الوطنية - كلية الهندسة بتطوير تقنية وصول عشوائي للذاكرة تعتمد على المغناطيسية المقاومة Magnetoresistive Random Access Memory او MRAM, والتي من شأنها أن تقدم نقلة نوعية في تخزين المعلومات على الأجهزة الإلكترونية.

ستقدم هذه التقنية المبتكرة زيادة كبيرة في المساحة التخزينية وستعمل على زيادة كفاءة الذاكرة بحيث تضمن بقاء البيانات الجديدة سليمة حتى في حالة انقطاع التيار. وقد قدم هذا الفريق تقنيتهم كبراءة اختراع لتتم الموافقة عليها من الولايات المتحدة.

طور الفريق بقيادة الدكتور يانغ هيونسو معمارية للأجهزة بحيث يتم تسخيرها للإستفادة في رقاقة الجيل القادم MRAM, والتي يمكن أن تقدم للمستخدمين خيارات افضل في سوق الإلكترونيات, بحيث يمكن توفيرها على الحواسب المكتبية والأجهزة المحمولة كالحواسب والهواتف. هذا ويمكن الإستفادة من هذه التقنية في انظمة النقل والحرب والطيران وفي ادارة الطاقة والصناعات والروبوتات والتحكم في المحركات, بالإضافة لأجهزة العناية الصحية.

وتعليقاً على فوائد هذه الرقاقة, قال يانغ, "من وجهة نظر المستخدم, لن نحتاج لإنتظار اجهزة الحواسيب لكي تقلع بعد الان. المساحة التخزينية ستزداد, والذاكرة ستكون أكثر كفاءة بحيث لا يكون هناك اي حاجة لضغط زر الحفظ وذلك لأن البيانات ستبقى سليمة حتى في حالة انقطاع التيار. الان يُمكن للأجهزة والمعدات ان تملك ذاكرة اكبر وبدون ضياع وذلك لما يصل لل20 سنة او يزيد. يمكن للنماذج المنافسة حالياً في الأسواق والتي تمتلك طبقة مغناطيسية رفيعة جداً ان تحتفظ بالمعلومات لما يقارب السنة فقط."

وأضاف, "ونظراً لإعتمادنا الكبير على الهواتف الذكية في الاونة الأخيرة, نحتاج لإعادة شحن هذه الهواتف يومياً. ولكن بإستخدام التقنية الجديدة, ربما لن نحتاج لإعادة الشحن اكثر من مرة اسبوعياً."

ومن المتوقع لهذا الإختراع ان يُغير معمارية الحاسوب, مما يجعل الحواسيب اسهل للإنتاج كما هو الحال للعديد من الأجهزة مثل الذاكرة المحمولة, بحيث تخفض اسعارها بشكل ملحوظ.

تحظى هذه التقنية باهتمام كبار منتجي الأجهزة الإلكترونية مثل سامسونج, انتل, توشيبا واي بي ام وذلك لأن مصطلح التقنية المبتكرة قد جلب اهتمام الصناعات حول العالم.